샌디스크 특허 충격... HBM 다음 HBF? 쉽지는 않습니다 DRAM이 아니라 NAND거든요

HBM 다음 메모리로 거론되는 HBF, 하이 밴드위스 플래시를 살펴봅니다. 샌디스크와 SK하이닉스가 HBF 표준화에 나선 배경과 삼성전자의 공개 전략 차이를 정리했습니다. 느린 낸드가 채널, 다이, 뱅크, 플레인 병렬화를 통해 어떻게 높은 대역폭을 만드는지 설명합니다. TLC와 QLC의 용량을 포기하고 SLC 또는 pSLC 방식으로 속도와 ��명을 높일 가능성도 다룹니다. 낸드가 전하의 양을 기준 전압으로 구분해 데이터를 저장하는 원리를 쉽게 풀어봤습니다. 반복적인 쓰기가 인듀어런스를 소모하고, 시간이 지날수록 리텐션과 오류율에 어떤 영향을 주는지도 짚습니다. 컨트롤러와 ECC가 오류를 복구하는 방식과 정정 한계를 넘어설 때 발생하는 문제도 설명합니다. GPU 가까이에 배치되는 HBF가 열과 온도 변화, 패키지 수명 측면에서 넘어야 할 과제를 분석했습니다. HBF뿐 아니라 BlueField-4 STX, CMX, 기업용 SSD 등 랙 단위 AI 스토리지 해법도 함께 비교합니다. 오는 8월 OCP Korea Tech Day에서 HBF 관련 표준화 논의가 이어질 가능성도 살펴봤습니다. Written by 패치 Edited by 이진이 [email protected]